HOMSEMI半导体创立于2006年，是研发、生产功率场效应管和IGBT的高新科技企业。公司在成立之初，从国外引进国际最先进的MOSFET工艺制程技术，成为国内最先进的MOSFET厂商之一。得益于政府对半导体产业的关怀和支持，我公司发展迅速，目前已通过合资或合作的形式在中国大陆和台湾设有多个封装测试基地和芯片制造基地，并在广州科学城设立了应用实验室和物流中心。 在发展的过程中，我们建...