关于我们
About Us
研发、生产功率场效应管和IGBT的高新科技企业
深入了解客户应用，提供最适合的产品，做最贴近中国客户应用需求的功率半导体供应商。
为客户创造价值，为企业创造效益，为员工创造未来。
没有完美的个人，却有完美的团队。
发展历程
- 2010年
- 2008年
- 2006年
1200V系列IGBT投产，成为大中华区最先投产IGBT的厂商之一
2010年，HOMSEMI TRENCH （沟槽工艺）MOSFET工艺制程投入使用，技术达到国际领先水平。
2011年，HOMSEMI 1200V系列IGBT投产，成为大中华区最先投产IGBT的厂商之一。
为客户提供完整的产品应用方案、产品可靠性测试及产品失效分析
2008年，为适应中国对功率半导体不断增长的需求，HOMSEMI半导体与广州成启半导体有限公司结成合作联盟，在广州市科学城成立了应用实验室和物流中心，建立了完备的电源产品实验环境成为国内最先进的MOSFET厂商之一
HOMSEMI半导体创立于2006年，是研发、生产功率场效应管和IGBT的高新科技企业。
公司在成立之初，从国外引进国际最先进的MOSFET工艺制程技术，成为国内最先进的MOSFET厂商之一。
